Будущее памяти — революция в SSD или неожиданный откат технологий

Компания Kioxia обновила свою "дорожную карту", представив новые подробности о разработке 10-го поколения флеш-памяти BiCS с рекордными 332 слоями. Однако, несмотря на впечатляющее увеличение количества слоёв, ёмкость будущих чипов составит всего 2 Тбит — столько же, сколько у современных 218-слойных моделей. Производитель при этом намекает на возможность выпуска более ёмких решений без применения технологии Penta-Level Cell (PLC), которая пока остаётся за кадром.

Разработка новой памяти ведётся в рамках "двухосевой стратегии", объединяющей рост плотности и повышение производительности за счёт инновационной архитектуры Charge-Based Architecture (CBA). Эта технология обещает улучшить пропускную способность, снизить задержки и уменьшить энергопотребление без ущерба долговечности. Kioxia делает ставку на совершенствование контроллеров и производственных процессов, в отличие от других вендоров, которые активно экспериментируют с PLC.

Кроме того, компания сосредоточилась на двух сериях SSD — CM9 для ИИ-задач с высокой производительностью и LC9 с акцентом на ёмкость, построенных на чипах BiCS 8-го поколения. В перспективе Kioxia готовит высокопроизводительный SSD на базе SLC-памяти XL-Flash, способный выполнять более 10 миллионов операций ввода-вывода в секунду. Официальный релиз ожидается во второй половине следующего года.