Технологическая революция памяти — новый этап развития NAND

Японская компания Kioxia обновила свою технологическую дорожную карту, представив 332-слойную NAND-память нового, 10-го поколения BiCS. Эти чипы обладают рекордной плотностью в 2 ТБ на кристалл и обещают высокую надёжность, несмотря на удвоение объёма по сравнению с текущими решениями. В компании отметили, что отказались от использования PLC-технологии в пользу более проверенных методов, что позволяет повысить долговечность и стабильность памяти.

В Kioxia реализуют двухосевую стратегию развития, направленную на вертикальное масштабирование и улучшение архитектуры CBA (CMOS under Array). Такая архитектура, при которой управляющая логика размещается под массивом памяти, повышает пропускную способность на 30%, снижает энергопотребление на 20% и уменьшает задержки. В компании подчеркнули, что этот подход позволяет увеличить плотность без потери долговечности, что не всегда удаётся при использовании PLC.

Серия продуктов Kioxia уже включает высокопроизводительные SSD для ИИ-нагрузок, энергоэффективные накопители для больших данных и низколатентные решения с ожидаемой производительностью свыше 10 миллионов IOPS. Появление первых образцов новой памяти запланировано на 2025-2026 годы, что обещает усилить позиции компании в корпоративных ЦОДах, высокопроизводительных вычислениях и edge-устройствах.