Ультратонкие накопители с ИИ-оптимизацией для смартфонов выходят на рынок

Компания SK hynix сообщила о создании инновационных модулей памяти UFS 4.1, в которых используются 321-слойные структуры 3D NAND (внутренняя классификация бренда называет их 4D NAND). Решение ориентировано на интеграцию в мобильные устройства, где встроенные накопители играют ключевую роль.

Как отметили представители компании, рост спроса на стабильную работу ИИ-алгоритмов в смартфонах требует повышения скорости обработки данных и снижения энергозатрат компонентов. Модернизированные модули UFS 4.1 призваны усилить позиции SK hynix в сегменте памяти для топовых гаджетов.

По сравнению с предыдущей версией на 238-слойных чипах, новинка демонстрирует увеличение энергоэффективности на 7%, а её толщина сокращена до 0,85 мм, что соответствует запросам на ультратонкие корпуса. Скорость последовательного чтения достигает 4300 МБ/с — это рекорд среди аналогов четвёртого поколения. Параметры случайного чтения и записи, влияющие на многозадачность, улучшились на 15% и 40% соответственно.

Серийный выпуск модулей ёмкостью 512 ГБ и 1 ТБ начнётся в первом квартале 2025 года.