Samsung официально объявила о переходе на гибридное соединение для памяти HBM4

Компания Samsung объявила о внедрении технологии гибридного соединения в производство памяти HBM4, что должно снизить тепловыделение, повысить пропускную способность и увеличить плотность межчиповых связей. В то время как корейский конкурент SK hynix относит hybrid bonding к резервным вариантам, Samsung планирует сделать его основным методом.

Традиционно в модульной HBM DRAM-кристаллы соединяют между собой при помощи микробамп — микроскопических площадок, через которые передаются сигналы и питание. По мере роста числа слоёв и тактовой частоты такие бампы становятся узким местом, ограничивая быстродействие и энергоэффективность.

Гибридное соединение устраняет микробампы, обеспечивая прямой контакт медных площадок и оксидных слоёв. Это позволяет добиться шага межсоединений менее 10 мкм, уменьшить сопротивление и ёмкость, а также сделать модуль тоньше. Тем не менее стоимость такого процесса заметно выше, да и линии требуют дополнительной площади.

На этапе разработки HBM3E все три крупных производителя — Micron, Samsung и SK hynix — оценивали гибридное соединение, но первые двое остановились на TC-NCF, а SK hynix продолжила совершенствовать MR-MUF. Теперь же Samsung первой вводит hybrid bonding для HBM4, тогда как главный конкурент рассчитывает достичь стандартной толщины 775 мкм за счёт доработки существующих методов, избегая серьёзных инвестиций в новое оборудование.

Преимущество Samsung заключается в наличии Semes — дочерней компании по производству литографического и сборочного оборудования, что помогает экономить при освоении инновационных технологий. Остаётся лишь выяснить, сможет ли Semes в нужные сроки запустить гибридное соединение в серию.

Ожидается, что сертификация HBM4 на базе hybrid bonding откроет Samsung заметное превосходство над Micron и SK hynix в производительности, тепловой отдаче и компактности модулей. По плану массовый выпуск стартует в 2026 году, что даст компании шанс вернуть лидерские позиции на рынке высокоплотной памяти.