Прорыв в мире памяти: IGZO-DRAM от NEO увеличит плотность в 10 раз и изменит будущее ИИ

Компания NEO Semiconductor, известная своими разработками в области полупроводниковой памяти, объявила о достижении, которое может изменить расстановку сил на рынке DRAM. Речь идет о технологии 3D X-DRAM — первом в отрасли решении на базе IGZO с архитектурой 1T1C и 3T0C. Эта инновация обещает кардинальное повышение плотности, энергоэффективности и масштабируемости, что особенно важно для приложений, требующих высокой пропускной способности и минимального энергопотребления.

Представители компании сообщили, что новая архитектура обеспечивает плотность хранения до 512 Гбит, что в десять раз превышает показатели традиционных DRAM. Такой прирост стал возможен благодаря применению IGZO — оксида индия, галлия и цинка, который позволил добиться рекордного времени удержания заряда до 450 секунд. Это означает значительное снижение энергозатрат на перезапись данных, что особенно важно для использования в задачах ИИ и edge-вычислениях.

В NEO подчеркнули, что структура 1T1C станет основным решением для высокоплотной DRAM и совместима с существующими стандартами HBM. В то же время 3T0C оптимизирована под in-memory computing и позволяет эффективно реализовать алгоритмы считывания тока, что актуально для систем, работающих с искусственным интеллектом. Отдельное внимание уделено версии 1T0C — гибридному решению, способному совмещать логические и запоминающие функции в единой архитектуре.

Скорость чтения и записи новых ячеек, согласно данным TCAD-моделирования, составляет 10 наносекунд, а гибридный монтаж с использованием элементов NAND позволяет сократить производственные издержки и ускорить внедрение. Примечательно, что для производства 3D X-DRAM не потребуется кардинальных изменений в существующих производственных линиях 3D NAND, что, по мнению аналитиков, существенно ускорит адаптацию технологии в индустрии.

Ожидается, что первые тестовые образцы памяти 3D X-DRAM появятся в 2026 году. Представители компании намерены подробно рассказать о технологии на 17-й Международной конференции по памяти IEEE, которая пройдет в Монтерее, штат Калифорния, с 18 по 21 мая 2025 года. Эксперты уже называют это решение потенциальным "game-changer", способным существенно повлиять на развитие ИИ и других энергоемких вычислительных задач. В профессиональной среде считают, что благодаря совместимости с существующими техпроцессами, промышленная адаптация может начаться в кратчайшие сроки.