Кризис полупроводников: Samsung повторяет ошибки Intel и замораживает мегапроекты

Samsung приняла решение отложить завершение строительства нового полупроводникового завода в Тейлоре (Техас), поскольку мощности пока остаются незадействованными из‑за отсутствия заказов. Одновременно компания приостановила запуск ряда проектов по расширению и обновлению производственных объектов в Южной Корее.

По сведениям источника Nikkei Asian Review, текущий девиз Samsung по отношению к американскому комплексу звучит как "подождём и оценим ситуацию". Первоначально ввод объекта планировался на этот год, затем отодвигался к концу и началу следующего, а теперь представители компании склоняются к срокам 2026 года. При этом в Foundry подчёркивают, что за последнее время потеряли ключевых клиентов — Nvidia и Qualcomm.

Строительство дорогостоящих фабрик по выпуску передовых чипов без гарантированных заказов экономически нецелесообразно — такой опыт уже пришлось испытать Intel, заморозившей стройку в Огайо. По словам экспертов, подобные предприятия требуют работы при максимально возможной загрузке, что возможно лишь при высокой эффективности техпроцесса и стабильном выпуске годных кристаллов.

Дополнительную сложность в США создаёт крупный проект TSMC в Аризоне стоимостью около $100  млрд. Samsung изначально проектировала свой завод под 4‑нанометровую технологию FinFET, но к 2026 году и далее спрос может сместиться к 2‑нанометровым нормам с транзисторами GAA. В связи с этим компания рассматривает возможность оснастить американский комплекс обеими архитектурами, что потребует дополнительного времени, но обещает повысить выход годных изделий по мере зрелости процессов.

Ранее в планах Samsung фигурировало внедрение 1,4‑нанометровой технологии SF1.4 в 2027 году, однако её запуск перенесли до 2029  года. Между тем появилась информация о промежуточном решении SF2P+ - тоже относящемся к классу 2 нм — которое станет ещё одной опцией для сторонних заказчиков.